碳化硅（SiC）是制造半導(dǎo)體器件及材料的優(yōu)良材料之一，但其在工藝流程中，會(huì)不可避免產(chǎn)生晶格缺陷等情況，而快速退火能夠?qū)崿F(xiàn)金屬合金、雜質(zhì)激活、晶格修復(fù)等目的。在近些年高速發(fā)展的化合物半導(dǎo)體、光電子、先進(jìn)集成電路等細(xì)分領(lǐng)域，快速退火發(fā)揮了無(wú)法取代作用。

01快速退火在化合物半導(dǎo)體中的應(yīng)用【快速退火爐】

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成中的一種化合物半導(dǎo)體材料，具備硬度高、熱導(dǎo)率高、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域具備廣泛的應(yīng)用前景。

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由于碳化硅器件的部分工藝要高溫下完成，這就給器件的制造和封測(cè)帶來(lái)了比較大的難度。比如，在摻雜步驟中，傳統(tǒng)式硅基材料能用擴(kuò)散的方式完成摻雜，但是由于碳化硅擴(kuò)散溫度遠(yuǎn)高于硅，因此需要采用高溫離子注入的形式。而高能量的離子注入會(huì)破壞碳化硅材料原先的晶格結(jié)構(gòu)，所以必須采用快速退火工藝修復(fù)離子注入所帶來(lái)的晶格損傷，消除或減輕晶體應(yīng)力和缺陷，提高結(jié)晶質(zhì)量。

02什么叫快速退火爐（RTPSYSTEM）【快速退火爐】

快速退火爐是運(yùn)用鹵素紅外燈作為熱源，通過(guò)極快的升溫速率，將材料在極短的時(shí)間內(nèi)從室溫加熱到300℃-1250℃，從而消除材料內(nèi)部有些缺陷，改善產(chǎn)品性能。

03快速退火爐產(chǎn)品介紹

全自動(dòng)雙腔快速退火爐

RTP-DTS-8是款全自動(dòng)雙腔快速退火設(shè)備，可兼容6-8英寸晶圓Wafer。

產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)

?全自動(dòng)雙腔設(shè)計(jì)，有效提高產(chǎn)能

?最高的溫度可達(dá)1250℃，具備超高溫場(chǎng)均勻性

?具備穩(wěn)定的溫度重現(xiàn)性

?可以滿足SIC量產(chǎn)化制程需求

半自動(dòng)快速退火爐

RTP-SA-12是在保護(hù)氣氛下的半自動(dòng)立式快速退火系統(tǒng)，可兼容4-12英寸晶圓Wafer。

產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)

?選用紅外鹵素?zé)艄芗訜?，冷卻選用風(fēng)冷；

?快速PID溫控，可精準(zhǔn)控制溫度升溫，保證良好的重現(xiàn)性和溫度均勻性；

?選用平行氣路進(jìn)氣方式，氣體進(jìn)出口設(shè)置在晶圓表面，防止退火過(guò)程中冷點(diǎn)產(chǎn)生，保證良好的溫度均勻性；

?大氣與真空處理方式均可選擇，完成進(jìn)氣前氣體凈化處理；

?標(biāo)配兩組工藝氣體，最多可擴(kuò)展至6組工藝氣體。

桌面型快速退火爐【快速退火爐】

RTP-TABLE-6是款桌面型快速退火設(shè)備，標(biāo)配三組工藝氣體，可最大兼容6英寸晶圓Wafer。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

?紅外鹵素?zé)艄芗訜幔鋮s采用風(fēng)冷；

?采用快速PID溫控，可精準(zhǔn)控制溫度升溫，保證良好的重現(xiàn)性和溫度均勻性；

?采用平行氣路進(jìn)氣方式，氣體進(jìn)出口設(shè)置在晶圓表面，避免退火過(guò)程中冷點(diǎn)產(chǎn)生，保證良好的溫度均勻性；

?大氣與真空處理方式均可選擇，實(shí)現(xiàn)進(jìn)氣前氣體凈化處理。

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